Grafeno y molibdeno

La Sociedad de la Banda Ancha cabalga a muy buen ritmo. El consumo de caudal crece de forma imparable, y la infraestructura se va adecuando, con ciertos retrasos y fatigas, a la demanda existente. Sobre ello abundaremos en las XVIII Jornadas del Cable y la Banda Ancha en Cataluña (7-9 de mayo de 2013).

La evolución científica en telecomunicaciones ha conducido a más capacidad de almacenamiento en chips más reducidos y a más velocidad gracias a elementos químicos cuya capacidad de conducción es elevada (silicio, erbio). Ahora, se trabaja con la combinación de grafeno (alótropo del carbono, un teselado hexagonal plano descubierto en los años 30 del siglo XX y duro casi como el diamante) y molibdeno (metal plateado, con el sexto punto de fusión más elevado de cualquier elemento), sinónimos de electrónica high speed. Con ese nanomaterial en dos dimensiones, los dispositivos pueden devenir más pequeños y ser compatibles con una  transferencia de datos ultra rápida.

Un grupo de investigadores del CSIRO (Commonwealth Scientific and Industrial Research Organisation) y el Royal Melbourne Institute of Technology (Australia) han mejorado la capacidad de carga electrónica del grafeno utilizando óxidos de molibdeno y creando nano-capas que permiten a los electrones comprimirse con una dispersión mínima. Se crearon hojas de unos once nanómetros de grosor, convertidas luego en un material semiconductor que permite fabricar transistores. La técnica utilizada es la de exfoliación.

Como resultado, un dispositivo con una movilidad de electrones de 1.100 centímetros cuadrados por voltio-segundo. Ello excede al estándar actual para el silicio (además, consume menos electricidad que éste). Silicio, erbio, grafeno + molibdeno. La Sociedad de la Banda Ancha suma y sigue.